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晶化前后有源层的刻蚀对

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在普通玻璃衬底上低温(600℃以下)制备poly-Si TFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点.采用金属诱导横向晶化法低温研制了poly-Si TFT.分析了晶化前后有源层的刻蚀对poly-Si TFT性能的影响.

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来源
《微细加工技术》|2001年第2期|49-52|共4页
作者
饶瑞; 徐重阳; 孙国才; 赵伯芳; 曾祥斌;
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作者单位

华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074;

华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074;

华中科技大学物理系,武汉 430074;

华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074;

华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
金属诱导横向晶化; 有源层; 刻蚀; poly-Si TFT;

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