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深亚微米PMOS/SOI热载流子效应研究与寿命评估

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摘要

通过测量深亚微米器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系,分析SOIPMOS器件尺寸进入深亚微米后的热载流子效应引起的退化规律.模拟了在最坏应力条件下,最大线性区跨导Gmmax退化与漏偏压应力Vd的关系,以及器件寿命与应力Vd的关系.

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来源
《浙江工业大学学报》 |2003年第4期|410-413,418|共5页
作者
颜志英; 张敏霞;
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作者单位

浙江工业大学,信息学院,浙江,杭州,310032;

浙江工业大学,信息学院,浙江,杭州,310032;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
SOIPMOS; 热载流子效应; 器件退化;

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