深亚微米SOI MOSFET低压热载流子效应研究

摘要

当器件尺寸进入深亚微米后,SOIMOS集成电路中的N沟和P沟器件的热载流子效应引起的器件退化已不能忽视。通过分别测量这两种器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系,分析了这两种器件的退化规律,对这两种器件的热载流子退化机制提出了合理的解释。并模拟了在最坏应力条件下,最大线性区跨导Gmmax退化与漏偏压应力Vd的关系,说明不同沟长的器件在它们的最大漏偏压以下时,能使Gmmax的退化小于10%。