ICP刻蚀技术研究

摘要

介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理．研究以SF6为刻蚀气体．不同的电极功率、气体流量、反应室压强、反应室温度、样片开槽宽度等工艺参数对Si和SiO2的刻蚀速率和选择比的影响．实验结果表明．提高RF1功率和SF6流量．可以提高刻蚀速率和选择比．提高RF2功率虽能提高刻蚀速率但降低选择比，反应室压强上升到1．2Pa时．刻蚀速率达最大值，刻蚀温度为零度时．Si的刻蚀速率最大．开槽宽度对刻蚀速率影响不大．