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黄斌; 郭群英;
中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042;
ICP; Boseh技术; 速率; 均匀性; SOI; Footing效应;
机译:使用ICP低温反应离子刻蚀工艺对硅进行浅而深的干法刻蚀
机译:等离子体化学循环刻蚀/钝化过程中硅的深槽建模
机译:Ni-P,Ni-B和SiO_2作为深硅刻蚀中使用ICP反应器制造MEMS的硬掩模材料
机译:使用灰度光刻和深反应离子刻蚀开发深硅相菲涅耳透镜
机译:结合隔离技术和深反应离子刻蚀形成硅纳米结构
机译:使用灰度光刻和深反应离子刻蚀技术开发深硅相菲涅尔透镜
机译:电感耦合等离子体(ICp)干蚀刻中三氯化硼/氯气体分子外延生长p型氮化铝镓的刻蚀特性及表面分析
机译:深硅刻蚀装置和深硅刻蚀装置的进气系统
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