LPCVD氮化硅薄膜的制备工艺

摘要

氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性．在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛．简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的特性．详细介绍了低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺．通过调整炉温使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求。