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李欣年; 王传珊;
激光器; GaAs; 制备; 质子轰击;
机译:具有光场衰减区域的高速InGaAsP / InP选择性质子轰击埋藏式月牙形激光器
机译:GaAs / AlGaAs量子阱中质子轰击基于光诱导子带间吸收的全光调制器的调制带宽增强
机译:质子轰击GaAs材料制成的光电导天线的光激发载流子弛豫动力学和太赫兹响应
机译:高速和高功率1.3 / spl mu / m InGaAsP / InP选择性质子轰击的具有光场衰减区域的埋入月牙形激光器
机译:生物质子通道中质子传输的计算机模拟研究。
机译:消除用于制备1.3μm量子点激光器的InAs / GaAs量子点中的双峰尺寸
机译:使用新型InGaAsP和AlGaAs混合材料系统生长和制备高性能980nm应变InGaAs量子阱激光器
机译:用meV离子束轰击制备Gaas / alGaas系统中的光通道波导
机译:制备InGaAsP和InGaAs双异质结构激光器和LED的方法
机译:GaAs基激光器的方法和GaAs基激光器
机译:基于GaAs的激光器的方法和基于GaAs的激光器
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