一种双肩脊条的GaAs-基激光器的制备方法及利用该方法制备的GaAs-基激光器

摘要

一种双肩脊条的GaAs-基激光器的制备方法，包括步骤如下：利用光刻掩膜版进行曝光、显影、腐蚀等工步制备出需要的图形结构；二次曝光；二次显影；在二次显影后的外延片上生长电流阻挡层；剥离掉脊条结构顶部有光刻胶位置处的电流阻挡层，形成电流注入窗口，再进行P面电极蒸镀、减薄、N面电极蒸镀、合金、封装等工步形成GaAs-基激光器。本发明所述的制备方法省去了常规工艺中的部分步骤：一刻腐蚀之后去除光刻胶，生长电流阻挡层、采用套刻的方式进行电流阻挡层图形的腐蚀等工步。本发明所述的方法不会对衬底上面的外延层形成损伤，操作方便，简化了工艺步骤，缩短了生产周期，同时降低了原材料的消耗。