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5.1 室温连续激射GaN基翻转脊形结构激光器测试
7.1全文总结
周瑞;
中国科学技术大学;
机译:短波脊形InGaN / GaN二极管激光器的结构优化
机译:用于蓝光量子点激光器和垂直腔表面发射激光器的GaN基纳米结构的研究进展
机译:GaN基太赫兹带量子级联激光器结构的制备和自然发射光的观察
机译:TDECQ对106-Gb / s PAM-4调制的直接调制亚微米脊形局部埋入异质结构激光器的歪斜和消光比的依赖性分析
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:金催化的六边形和铂催化的五角形带有2-炔基-苯基取代基的炔丙基酯的制备:DFT比较研究
机译:GaN-InGaN微探针激光器结构的生长与制备
机译:氮化物激光器(In,Ga)N / GaN量子结构的研究
机译:GaN基半导体激光器的制造方法和GaN基半导体激光器
机译:GaN半导体激光器的制造方法,GaN基半导体激光器
机译:具有脊形结构的半导体激光器件的制造
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