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潘刚; 王根水; 张帅; 董显林; 刘世建;
上海师范大学数理学院,上海200234;
中国科学院,上海硅酸盐所信息、功能材料与器件研究中心,上海200050;
上海电力学院,数理系,上海200090;
PZNT; 表面形貌; XRD; 介电特性; 储能密度;
机译:溶胶-凝胶法制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)/ BiFeO_3异质结薄膜的铁电性能和漏电性能的改善
机译:超薄二氧化钛纳米片作为电子提取缓冲层的反BuKk-异质结有机太阳能电池的制备
机译:高温溶液中PZNT单晶的生长和铁电性能
机译:氧分压对LSCO / AZO异质结电性能的影响
机译:半透明氧化锌:低温制备的铝/铜(I)氧化物薄膜异质结:结处本征ZnO缓冲层的作用
机译:磁控溅射制备Cu3N / MoS2异质结及其结构和光学性能研究
机译:机械合金化制备Ag / LSCO电触头材料的研究
机译:Cu2O / TiO2纳米管异质结阵列的制备及其光电化学行为研究。
机译:制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译:具有浮动结前表面场的互反背接触异质结光电器件
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