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摘 要
Abstract
目 录
第1章 绪 论
1.1课题背景及意义
1.2铁电材料及缓冲层国内外研究现状
1.2.1钛酸铋材料国内外研究现状
1.2.2缓冲层国内外研究
1.3本课题的主要研究内容
第2章 计算方法与理论基础
2.1引言
2.2密度泛函理论简介
2.2.1 Hohenberg-Kohn定理
2.2.2 Kohn-Sham方程
2.2.3交换相关能近似
2.2.4自洽计算过程
2.3第一性原理方法概述
2.4 Materials Studio软件介绍
2.5本章小结
第3章 钛酸铋薄膜的制备及理论研究
3.1引言
3.2 BNT薄膜的制备及化学性能表征
3.2.1 BNT薄膜的制备
3.2.2 BNT薄膜的化学表征
3.3 BNT薄膜的电学性能研究
3.3.1 BNT薄膜的铁电性能研究
3.3.2 BNT薄膜的漏电流性能研究
3.3.3 BNT薄膜的疲劳性能研究
3.4钛酸铋的第一性原理研究
3.4.1钛酸铋体结构
3.4.2钛酸铋体结构电子特性
3.5掺杂BIT薄膜的电子特性研究
3.6本章小结
第4章 HfO2/Si异质结构电子特性研究
4.1引言
4.2.1 HfO2体结构
4.2.2 HfO2体结构的电子特性研究
4.3.1 HfO2表面结构
4.3.2 HfO2表面结构的电子特性研究
4.4硅体结构及电子特性研究
4.5硅表面结构及电子特性研究
4.6二氧化铪/硅异质结构
4.6.1 HfO2/Si界面的原子结构
4.7 HfO2/Si异质结构的电子特性
4.8本章小结
结 论
参考文献
哈尔滨工业大学学位论文原创性声明和使用权限
致 谢
