MoS_(2)/SnS_(2)异质结催化性能增强的第一性原理研究

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了单层MoS_(2)、单层SnS_(2)和MoS_(2)/SnS_(2)异质结体系的几何结构、电子结构和功函数等性能.结果表明,MoS_(2)/SnS_(2)异质结的带隙明显小于单层MoS_(2)(001)和单层SnS_(2)(001),这有利于降低光子激发能,提高光吸收能力.通过计算MoS_(2)/SnS_(2)异质结的差分电荷密度,发现电荷的重新分布主要发生在MoS_(2)的界面附近,SnS_(2)内部的电荷密度变化很小,这表明构建的异质结可以有效改善复合体系的电荷转移能力,抑制光生电子和空穴的复合,从而提高材料的催化性能.