首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究

定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应，实验研究表明，这种膜的压阻因子在200微应变，室温下约为1300．其值大大超过了单晶硅的相应值，这是因为外延膜中缺陷态降低并且改进了测试方法，文中还简单讨论了金刚石膜压阻效应的起因．

著录项

来源
《半导体学报》 |1997年第6期|474-477|共4页
作者
王万录; 张振刚; 廖克俊; 吴彬; 张世斌; 廖梅勇;
展开▼
作者单位

重庆大学应用物理系;

兰州大学物理系;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.18;TN304.054;
关键词
异质外延生长; 金刚石膜; 压阻效应;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 直流等离子体CVD法在Si(100)衬底上局部定向核化及外延生长金刚石膜 [J] . 王万录 ,廖克俊 ,高锦英 . 半导体技术 . 1992,第2期
2. Si(100)上异质外延金刚石膜生长及其应用研究 [J] . 王蜀霞 . 稀有金属材料与工程 . 2001,第6期
3. 原子尺度的亚稳态金刚石膜的生长、形核和异质外延的机理研究 [J] . 林彰达 ,冯克安 . 中国科学院院刊 . 1998,第003期
4. 核化密度对硅上生长异质外延金刚石膜的影响 [J] . 廖克俊 ,王万录 . 微细加工技术 . 1997,第004期
5. 金刚石膜的磁阻效应和压阻效应 [J] . 孔春阳 ,马勇 . 功能材料 . 2002,第002期
6. 金刚石膜异质外延在硅衬底上外延组态的研究 [C] . 高巧君 . '96中国材料研讨会 . 1996
7. 金刚石在异质外延生长中成核的第一性原理计算 [A] . 刘祾 . 2015

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号