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林彰达; 冯克安;
物理研究所表面物理国家重点实验室,北京,100080;
金刚石; 机理研究;
机译:亚稳态金刚石膜在原子尺度上的生长,成核和异外延机理
机译:微波等离子体增强化学气相沉积合成异质外延金刚石在硅上的形核和生长
机译:在用Zr:金刚石混合浆料预处理的硅单晶上生长的HFCVD金刚石膜的增强形核和生长后研究
机译:偏置增强成核法生长异质外延金刚石膜
机译:外延(III-V)(1-x)(IV(2))(x)亚稳态半导体的生长机理和电子结构。
机译:原子尺度生长和异质外延的研究。石墨烯上的ZnO单层
机译:通过硅上的异质外延沉积大面积单晶金刚石薄膜:开发合适的缓冲层系统并研究成核机理
机译:非金刚石基底上的金刚石的假形稳定化:在c-BN(111)表面上的异质外延生长的金刚石。
机译:在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底,键合的单晶MgO层和异质外延膜,以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法
机译:外延金刚石膜的基础基板,外延金刚石膜的基础基板的制造方法,由该外延金刚石膜的基础基板制造的外延金刚石膜,以及外延金刚石膜的制造方法
机译:外延金刚石膜的基底基板,外延金刚石膜的基底基板的制造方法,由该外延金刚石膜的基底基板制造的外延金刚石膜,以及外延金刚石膜的制造方法
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