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刘新宇; 孙海峰; 海潮和; 吴德馨;
中国科学院微电子中心;
CMOS/SOI器件; 环振; 集成电路;
机译:具有单硅化物肖特基源极/漏极的高/金属栅极全耗尽SOI CMOS,栅极长度低于30nm
机译:低压应用的全耗尽SOI CMOS逻辑门
机译:使用累积模式全耗尽SOI MOSFET的高性能,高可靠性新型CMOS器件
机译:后门对22FDX全耗尽SOI CMOS的噪声性能的影响
机译:部分耗尽的SOI CMOS中的辐射硬化模拟电路。
机译:用于CMOS图像传感器应用的全耗尽沟槽固定光敏栅
机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性
机译:具有耗尽的源极和漏极的全耗尽SOI晶体管
机译:单独使用或用于SOI BiCMOS的全耗尽集电极绝缘体上硅(SOI)双极晶体管
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