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夏永伟; 滕学公; 李国花; 樊志军; 王守武;
集成光电子学国家重点实验室中国科学院半导体研究所;
光子平行存储器; 砷化镓; AlGaAs; 存储器; 性能;
机译:在GaAs量子阱中引入了用于极性光子的薄InAs势垒的结果,两势垒AlGaAs / GaAs / AlGaAs异质结构中的电子迁移率增加
机译:AlGaAs / GaAs / Algaas井中GASB量子环的线性和非线性光学性能的操纵,ALAS / GAAS / INGAAS / ALAS双量子阱
机译:GaAs-AlGaAs和应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs梯度折射率分离禁区异质结构单量子阱激光器的光学和微波性能
机译:基于六边形GaAs / Algaas柱阵列的2D光子晶体的生长和光学性能通过选择性区域冶金液相外延
机译:高性能AlGaAS / GaAs异质结FET的研究。
机译:具有合金化AuGe / Ni触点的GaAs / AlGaAs量化霍尔电阻的性能下降
机译:光控AlGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管和GaAs MESFET的微波性能
机译:高性能Gaas / alGaas光调制器:用于微波光子集成电路的性能和封装
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
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