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薛舫时;
南京电子器件研究所;
电流崩塌; 瞬态电流; 热电子隧穿; GaN; HFET;
机译:沟道热电子对AlGaN / GaN HEMT中电流崩塌的影响
机译:热电子陷阱辅助隧穿模型及其在氮化氧化物和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管泄漏电流中的应用
机译:虚拟栅极概念的AlGaN / GaN HFET中电流崩塌的解析模型
机译:隧穿,衬底热电子和沟道热电子注入引起的薄栅极MOSFET退化的比较研究
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌是否可能源于沟道电子的能量弛豫?
机译:siGe沟道和HfO2隧道介质在p沟道闪光中增强带间隧穿引发的热电子注入
机译:多孔电极/β - 氧化铝/碱金属气体三相区700-1300K交换电流的定量隧穿/解吸模型
机译:利用双扩散工艺制造最佳硬盘的方法,以优化晶体管驱动电流结电容,隧穿电流和沟道掺杂剂损耗
机译:通过带间隧道隧穿的衬底热电子编程并通过栅感应的漏极泄漏电流读取的etox单元的闪存的形成方法
机译:Etox单元由带间隧穿引起的衬底热电子编程并由栅极引起的漏极泄漏电流读取
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