退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
薛舫时; 陈堂胜;
南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室;
电流崩塌; 夹断特性; 电荷控制模型; 短沟道效应;
机译:多层碳掺杂/非掺杂GaN缓冲对抑制AlGaN / GaN HFET中电流崩塌的影响
机译:夹断工作模式下AlGaN / GaN HFET的功率稳定性为20 W / mm
机译:缓冲器设计可最大程度降低GaN / AlGaN HFET中的电流崩塌
机译:拟议的GaN HFET电流崩塌机制
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌是否可能源于沟道电子的能量弛豫?
机译:AlGaN / GaN HFET的鳍和岛隔离以及AlGaN / GaN HFET的漏电流特性随温度变化的模型
机译:偏压应力在alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中引起的电流崩塌;杂志文章
机译:薄图案化GaN中电流崩塌的控制
机译:不影响电话线,该电话线由沿强电流延伸的线及其相对于强电流线对称的电特性组成,并且具有来自强非对称部分的电流
机译:能够减少泄漏电流并具有出色的夹断特性的半导体器件及其制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。