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目录
第一章 绪 论
1.1课题研究背景及意义
1.2 GaN基HEMT研究进展和面临的问题
1.3论文研究内容
第二章 GaN HEMT器件基础
2.1自发极化和压电极化
2.2器件结构和工作原理
2.3 InAlN/GaN HEMT的特点
2.4 GaN异质结生长和器件制备
第三章 InAlN/GaN HEMT电流崩塌测试及分析
3.1电流崩塌的理论模型
3.2测试结果及分析
3.3栅脉冲条件下的电流崩塌实验
3.4改善电流崩塌现象的措施
第四章 器件仿真
4.1仿真工具简介
4.2仿真模型
4.3器件直流特性仿真
4.4电流崩塌效应仿真
第五章 总结和展望
参考文献
发表论文
致谢