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Al组分对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响(英文)

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摘要

在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.

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来源
《半导体学报》 |2006年第2期|235-238|共4页
作者
唐宁; 沈波; 王茂俊; 杨志坚; 徐科; 张国义; 桂永胜; 朱博; 郭少令; 褚君浩;
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作者单位

北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室;

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类半导体物理学;
关键词
AlxGa1-xN/GaN异质结构; 二维电子气; 输运性质;

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