调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中二维电子气的光致发光(英文)

摘要

研究了调制掺杂AlxGa1-xN GaN异质结中与二维电子气 (2DEG)有关的光致发光 ,发现温度 40K时Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN异质结中 2DEG与光激发空穴复合形成的发光峰位于 3.448eV ,低于GaN自由激子峰 45meV。由于AlxGa1-xN GaN界面极强的压电极化场的影响 ,光激发空穴很快扩散进GaN平带区 ,导致 2DEG与光激发空穴复合几率很低。在GaN中接近Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN界面处插入Al0 .12 Ga0 .88N限制层用于抑制光激发空穴的扩散 ,从而大大增强了 2DEG发光峰的强度。还研究了 2DEG发光峰随温度和光激发强度的变化。