机译:Al含量对GaN / Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中二维电子气传输特性的影响
Fraunhofer Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, Germany;
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机译:Al_xGa_(1-x)N厚度对调制掺杂的Al_xGa_(1-x)N / GaN单异质结构中二维电子气输运性质的影响
机译:Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中二维电子气的子带结构和传输特性
机译:二维Al_XGA_(1-X)n / GaN异质结构与可变Al含量的比较研究
机译:Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中二维电子气的输运性质
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:角分辨X射线光电子能谱研究Al2O3封端的GaN / AlGaN / GaN异质结构的表面极化
机译:高质量AlGaN / AlN / GaN和AlInN / AlN / GaN二维电子气异质结构的传输性能比较