AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响

孔月婵; 郑有炓; 储荣明; 顾书林

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AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响

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通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响,给出了AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气分布和面密度,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa1-xN势垒层中Al组分的变化关系,并用AlxGa1-xN/GaN异质结构自发极化与压电极化机理和能带偏移对结果进行讨论分析.

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来源
《物理学报》|2003年第7期|1756-1760|共5页
作者
孔月婵; 郑有炓; 储荣明; 顾书林;
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作者单位

南京大学物理系,南京,210093;

南京大学物理系,南京,210093;

南京大学物理系,南京,210093;

南京大学物理系,南京,210093;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
AlxGa1-xN/GaN异质结构,二维电子气,自发极化,压电极化;
入库时间 2023-07-24 18:08:00

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