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【2h】

Effect of Carrier Confinement and Optical Properties of Two-dimensional Electrons in Al0.3Ga0.7N/GaN and Al0.3Ga0.7N/GaN/Al0.15Ga0.85N/GaN Heterostructures

机译：二维电子在Al0.3Ga0.7N / GaN和Al0.3Ga0.7N / GaN / Al0.15Ga0.85N / Al0.15Ga0.85N / Al0.15Ga0.85N / GaN异质结构中的载体限制和光学性质的影响

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H.S. Kwack; K.S. Lee; H.E. Cho; J.H. Lee; Y.H. Cho;
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年度 2008
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