应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染

摘要

研究了采用感应耦合等离子体 原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX SOI材料过程中金属杂质污染的有效性 .同时研究了采用强酸清洗、加SiO2 膜覆盖等方法对降低污染程度的效果 .利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样 ,检测结果是一种整体的平均效果 .采用强流氧注入机进行高剂量氧注入 ,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染 ;6 0nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染 .