向改性硅中低剂量注入氧形成薄掩埋氧化物

摘要

本发明提供了一种制造绝缘体上硅(SOI)的方法，该绝缘体上硅在含硅覆层下面具有薄但均匀的掩埋氧化物区。该SOI结构是这样形成的：首先将含Si衬底的表面改性以包含高浓度的空隙或孔穴；然后，通常但不总是在该衬底顶上形成含硅层，随后以低氧剂量向该结构中注入氧离子；之后使该结构退火以将注入的氧离子转化为薄但均匀的热掩埋氧化物区。