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CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响

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摘要

本文研究了CZNTD Si中氧碳和缺陷-杂质复合体的热处理行为.分析了辐照和退火中的氧碳沉淀、缺陷-杂质复合体的形成、演变与施主的关系.确定了辐照施主是很少的,而主要是退火中形成的新施主,并且碳对这种施主起着强烈的促进作用.

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来源
《半导体学报》 |1992年第7期|438-447|共10页
作者
张一心; 李朝勇; 李光平; 何秀坤; 卢存刚; 李祖华;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

机电部46所;

中国原子能科学研究院;

北京605厂;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
辐照; 退火; 氧; 碳; 施主; 热处理;

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