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沈波; 杨凯; 张序余; 施洪涛; 张荣; 施毅; 郑有炓; 关口隆史; 角野浩二;
南京大学物理系固体物理研究所;
东北大学金属材料研究所;
硅; 氧沉淀行为; 单晶; 金属杂质;
机译:氧沉淀对直拉硅中铜沉淀的影响
机译:Si-O-Nb / Si-O-Ta氧桥杂金属键的有机-无机杂化物的热解行为
机译:硅单晶中入侵型杂质对BDT行为的影响
机译:手性茂金属/路易斯酸杂化聚合催化剂和杂双金属聚吡啶取代的二氧杂环丁烷。
机译:调查锰的影响氧逸出的杂金属-氧簇模型中的金属光系统II的复合物:镧系元素代替钙
机译:铜沉淀对直拉硅单晶中洁净区形成的影响
机译:碳浓度对Cz si中氧沉淀的影响
机译:以预测单晶硅中产生的氧沉积行为的单晶硅中的氧沉淀行为预测方式,以单晶硅中的氧沉淀行为预测方式预测氧沉积行为
机译:在用于制备氧沉淀物行为测量方法的单晶行为测量程序中记录用于确定硅氧如何沉淀的步骤以及硅单晶介质中的硅单晶片
机译:用于测量单晶硅中的氧沉淀行为的P方法,用于制造硅单晶晶片的工艺确定方法以及具有用于测量单晶硅中的氧沉淀行为的程序的记录介质
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