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董艳红; 吴云飞; 王洪涛; 崔虹云; 张漫;
佳木斯大学理学院;
GaN; HFET; 自加热效应; 优化结构;
机译:使用非极性a面GaN衬底上的HFET和c-GaN衬底上的p-GaN栅极来测量GaN基HFET的电流崩溃-常关型JHFET
机译:我们在Si底物上报告了常常数-FaN基的异质结场效应晶体管(HFET)。使用金属化学气相沉积(MOCVD)生长AlGaN / AIN / GaN异质结构。用于常关操作的HFET W.
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:Al0.15Ga0.85N / GaN异质结构场效应晶体管(HFET)器件结构优化和热效应。 ud
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:具有钝化加栅介质多层结构的GaN高压HFET
机译:氮化镓(GaN)异质结场效应晶体管(HFET)的驱动器电路
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