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【2h】

Al0.15Ga0.85N/GaN Heterostructure Field Effect Transistors (HFET)Device Structure Optimization And Thermal Effects.ud

机译：Al0.15Ga0.85N / GaN异质结构场效应晶体管（HFET）器件结构优化和热效应。 ud

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Al0.15Ga0.85N/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) was simulated by using ISETCAD software with varying substrate type, gate length and source drain resistances.

机译：使用具有不同衬底类型，栅极长度和源极漏极电阻的ISETCAD软件模拟了Al0.15Ga0.85N / GaN异质结构场效应晶体管（HFET）。

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作者
Thahab S M; Abu Hassan H.; Hassan Z.;
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作者单位

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年度 2007
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