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何菊生; 张萌; 肖祁陵;
南昌大学材料科学与工程学院;
晶格失配度; 体结构; 二维晶格; 半导体外延层;
机译:界面失配位错生长方式对金属有机化学气相沉积在GaAs衬底上生长的高度晶格失配的In_xGa_(1-x)Sb外延层的影响
机译:晶格失配的外延层和其他系统中的失配应变和失配位错
机译:晶格失配的III-V半导体界面上失配位错构型的生长模式依赖性
机译:锌和碲掺杂对晶格匹配和晶格 - 失配的IngaAs / InP外延层和蒸发电池中的少数型载体重组的影响
机译:晶格失配的III-V族化合物半导体和伪晶应变谐振隧穿二极管的研究。
机译:非对称梯度带隙半导体超晶格的能图计算
机译:稀半导体异质外延层与衬底之间原子尺寸失配应变引起的ADF-STEM图像反转对比度
机译:晶格失配的3-5个半导体外延层的成核,生长和应变弛豫
机译:在例如制造中在半导体衬底上制造外延层。肖特基二极管,通过提供衬底,形成与种子层外延工艺接触的外延层,并调节各层的晶格参数
机译:晶格失配的半导体结构,具有降低的位错缺陷密度和相关的器件制造方法
机译:具有降低的位错缺陷密度的晶格失配的半导体结构以及用于器件制造的相关方法
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