可减少高度晶格常数失配影响的半导体结构及形成的方法

摘要

本发明提供一种可减少高度晶格常数失配影响的半导体结构及其形成的方法，其中包含采用一(111)晶向表面的单晶硅底材。接着，一双层缓冲结构形成在该硅底材上方，其中该双层缓冲结构包含一单晶氮化硅层，此单晶氮化硅层是利用导入活性氮电浆或氨气并以热氮化方法形成在高温硅底材上方。接着，另一缓冲层为一单晶氮化铝层或其它三族氮化物层是以磊晶成长的方式成长在单晶氮化硅层上方。然后，氮化镓层或三族氮化物半导体异质磊晶结构同样是利用磊晶成长的方式成长在此双层缓冲结构上。