晶格失配度达2.6的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构

摘要

利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm~(-1)失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失配度为1.7%和2.1%的探测器样品进行了比较.通过原子力显微镜、X射线衍射、光致发光和器件特性测试对样品进行了表征.结果显示该晶格失配度达2.6%的探测器结构具有较好的表面形貌、较大的晶格弛豫度和理想的光学特性.器件室温截止波长约为2.9μm,直径为300μm的器件室温下在反向偏压10mV时的暗电流为2.56μA.