公开/公告号CN101300663B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-12-01
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN200680023212.5
申请日2006-05-17
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人郭放
地址 中国台湾新竹市
入库时间 2022-08-23 09:05:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-12-01
授权
授权
2010-06-09
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 变更前: 变更后: 登记生效日:20100505 申请日:20060517
专利申请权、专利权的转移
2008-12-31
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-11-05
公开
公开
机译: 晶格失配的半导体结构,具有降低的位错缺陷密度和相关的器件制造方法
机译: 具有降低的位错缺陷密度的晶格失配的半导体结构以及用于器件制造的相关方法
机译: 晶格失配的半导体结构,具有降低的位错缺陷密度和相关的器件制造方法