文摘
英文文摘
1 绪论
1.1 前言
1.2 半导体硅中的位错
1.2.1 Glide部分位错
1.2.2 Shuffle全位错
1.2.3 重构缺陷
1.2.4 扭折
1.3 石墨烯中的位错
1.4 单壁碳纳米管中的位错
1.5 本文研究内容
2 半导体硅中的位错结构及Peierls势垒和Peierls应力
2.1 引言
2.2 硅中的glide部分位错和shuffle位错的性质
2.2.1 位错方程及γ-面
2.2.2 位错方程中离散参数的确定
2.2.3 Glide部分位错及shuffle位错的芯结构
2.2.4 Glide部分位错及shuffle位错的Peierls势垒和Peierls应力
2.3 本章小结
3 石墨烯中的位错结构及Peierls势垒和Peierls应力
3.1 引言
3.2 Glide位错和shuffle位错的性质
3.2.1 位错方程及γ-面
3.2.2 位错方程中离散参数的确定
3.2.3 Glide位错和shuffle位错的芯结构
3.2.4 Glide位错和shuffle位错的Peierls势垒和Peierls应力
3.3 本章小结
4 锯齿型单壁碳纳米管中位错结构及Peierls势垒和Peierls应力
4.1 引言
4.2 五边形-七边形的性质
4.2.1 五边形-七边形的位错方程
4.2.2 位错方程的系数、γ-面及方程的解
4.2.3 五边形-七边形的位错结构
4.2.4 五边形-七边形的位错能量及Peierls势垒和Peierls应力
4.3 本章小结
5 结论与展望
5.1 本文的主要结论
5.2 后续研究工作的展望
致谢
参考文献
附 录
A.公式附录
B.攻读博士学位期间发表的学术论文
C.攻读博士学位期间参加的科研项目
D.攻读博士学位期间获得的奖励