不同基片生长γ'-Fe4N薄膜的结构及其磁学性能

摘要

采用直流磁控溅射方法,保持氩气流量不变,控制氮气的体积分数为10％,12.5％,15％,分别用Si(100)单晶和SrTiO3(100)单晶基片制备Fe-N薄膜.用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)等方法对两种不同基片生长Fe-N薄膜的结构及磁学性能进行表征.结果表明:在SrTiO3(100)单晶基片上得到了单相γ'-Fe4N薄膜,与Si(100)基片上的样品相比,SrTiO3(100)更有利于诱导γ'-Fe4N薄膜的取向性生长;当氮气的体积分数约为12.5％时,制备单相γ'-Fe4N薄膜的晶粒结晶度较好,且饱和磁化强度较高,矫顽力比Si(100)为基片获得的Fe-N薄膜样品低,软磁性能较好.