基片

摘要： 金刚石圆盘锯广泛用于非金属硬脆质材料如石材、混凝土等的切割。它是在圆基片外周设置许多孔槽,以此间作为设置刀头外周缘,采用烧结、钎焊等工艺,将金刚石刀头结合固定在基片上。这样的锯随着切割,刀头结合下部的基片部位因切粉而产生被称之为颈下磨耗的现象,由此结果是刀头磨粒层尚未充分使用,锯自身却无法使用了。

摘要： 松厚度作为烟草基片质量控制的重要指标,对烟草薄片的透气度、吸收性和最终卷烟产品质量有重要影响。提高基片的松厚度,不仅可改善基片对涂布液的吸收性,卷烟的抽吸性能与填充值,而且也有助于实现烟草薄片轻量化,降低烟丝用量,节约生产成本。本文结合近年来造纸法烟草薄片发展的新技术,从原料组分调控、工艺技术优化等方面总结了提高烟草基片松厚度的技术进展。

摘要： 为解决基片受力时在z轴方向上的应变率分布不均匀问题,提出一种基片的等应变率几何结构.在研究基片应力应变特性的基础上,采用有限元方法和回归分析方法建立等应变率基片的求解模型,给出改进二分法求解算法.结果 表明:长、宽、高分别为17.0、3.0、0.5 mm的42.75°Y切X传播石英基片,其一角沿z轴负方向延长4.4127 mm可得到等应变率基片.建立等应变率基片应力应变的有限元仿真模型进行验证,结果显示,基片应变率的不一致幅度和程度被有效消除,解决了应变率在z轴方向分布不均匀问题.

摘要： 通过动态蒸汽吸附实验,对以稠浆造纸法、稠浆法、造纸法和湿法造纸法制备的加热卷烟专用基片的吸水、保水性能及吸附机理进行了研究.结果表明,稠浆法制备的基片在低湿度下保水性最佳,相对湿度为0.85时,蒸汽吸附量为38.07％;造纸法制备的基片水吸附量最大,为43.17％.研究还发现,介孔结构有利于降低基片的失水速率,从而提高其保水性能.对吸附平衡过程和吸附动力学过程进行分析发现,蒸汽在基片上的吸附过程符合Freundlich吸附模型和Henderson吸附模型,吸附动力学符合拟一级吸附模型,即物理吸附控制过程.

摘要： 采用直流磁控溅射方法,保持氩气流量不变,控制氮气的体积分数为10％,12.5％,15％,分别用Si(100)单晶和SrTiO3(100)单晶基片制备Fe-N薄膜.用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)等方法对两种不同基片生长Fe-N薄膜的结构及磁学性能进行表征.结果表明:在SrTiO3(100)单晶基片上得到了单相γ'-Fe4N薄膜,与Si(100)基片上的样品相比,SrTiO3(100)更有利于诱导γ'-Fe4N薄膜的取向性生长;当氮气的体积分数约为12.5％时,制备单相γ'-Fe4N薄膜的晶粒结晶度较好,且饱和磁化强度较高,矫顽力比Si(100)为基片获得的Fe-N薄膜样品低,软磁性能较好.

摘要： 为了研究陶瓷基片表面ZSM-5分子筛薄膜的合成方法,并探究其理化及生物医学性能,以Silicalite-1为晶种,采用微波-水热两次生长法在ZTA纳米复相陶瓷基片表面合成了ZSM-5分子筛薄膜.结果表明:ZTA陶瓷基片表面合成了结晶度高、表面规整的ZSM-5分子筛薄膜;ZTA陶瓷基片/ZSM-5分子筛薄膜复合材料相对密度、抗弯强度、硬度和断裂韧性的最大均值分别达到了98.8%、455 MPa、17.7 GPa和5.8 MPa·m1/2;ZSM-5分子筛薄膜具有良好的亲水性、生物相容性和抑菌性.%In order to study the synthesis of ZSM-5 molecular sieve film on the ceramic substrate surface and explore its physicochemical and biomedical properties, ZSM-5 molecular sieve film on the surface of ZTA nanocomposite ceramic substrate was prepared by microwave-hydrothermal secondary growth method using Silicalite-1 as seed. The results show that ZSM-5 molecular sieve film with high crystallinity and regular surface was synthesized successfully on the surface of ZTA ceramic substrate. The maximum mean value of the relative density, bending strength, hardness and fracture toughness of ZTA ceramic substrate/ZSM-5 molecular sieve film composite were 98.8%, 455 MPa, 17.7 GPa and 5.8 MPa ? m1/2,respectively. ZSM-5 molecular sieve film has good hydrophilicity, biocompatibility and antibacterial activity.

摘要： 为满足高温超导滤波器的产业化生产对基片提出的高的技术要求,必须投入专门的研发力量对基片晶体生长和加工予以深入研究.本文就基片的若干关键技术指标及其保证工艺做了探讨.

摘要： 在流动催化剂法制备单壁纳米碳管条件下，铁质材料基片被用以研究单壁纳米碳管的生长状态及分布情况。扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明，基片上的单壁纳米碳管束相互扭曲、缠绕并形成了具有一定定向性的分布结构。考虑到纳米化铁质颗粒的催化剂作用，将铁质材料经表面喷丸处理后作为基片应用于制备单壁纳米碳管反应过程。实验结果表明，在纳米铁颗粒之间单壁纳米碳管具有特殊的生长和分 布状态。

摘要： 研究讨论了用高纯超细氧化铝粉制备的陶瓷体的微观结构包括晶粒大小、气孔大小与分布及缺陷时抛光表面表面粗糙度的影响，并制备了具有表面粗糙度R为0.006UM的低表面粗糙度的陶瓷基片。

摘要： 深紫外ＫｒＦ准分子激光光刻技术对于提高光刻分辨率，发展光启程技术极限，具有重要的意义。微细加工光学技术国家重点实验室研制了一套ＫｒＦ准分子激光缩小投影光刻实验系统。这套实验系统的研制成功为开展准分子激光光刻技术和准分子激光与相移掩模相结合的光刻技术的研究创造了条件，对研制的这套实验系系统的进行介绍。

摘要： 深紫外ＫｒＦ准分子激光光刻技术对于提高光刻分辨率，发展光启程技术极限，具有重要的意义。微细加工光学技术国家重点实验室研制了一套ＫｒＦ准分子激光缩小投影光刻实验系统。这套实验系统的研制成功为开展准分子激光光刻技术和准分子激光与相移掩模相结合的光刻技术的研究创造了条件，对研制的这套实验系系统的进行介绍。

摘要： 深紫外ＫｒＦ准分子激光光刻技术对于提高光刻分辨率，发展光启程技术极限，具有重要的意义。微细加工光学技术国家重点实验室研制了一套ＫｒＦ准分子激光缩小投影光刻实验系统。这套实验系统的研制成功为开展准分子激光光刻技术和准分子激光与相移掩模相结合的光刻技术的研究创造了条件，对研制的这套实验系系统的进行介绍。

摘要： 深紫外ＫｒＦ准分子激光光刻技术对于提高光刻分辨率，发展光启程技术极限，具有重要的意义。微细加工光学技术国家重点实验室研制了一套ＫｒＦ准分子激光缩小投影光刻实验系统。这套实验系统的研制成功为开展准分子激光光刻技术和准分子激光与相移掩模相结合的光刻技术的研究创造了条件，对研制的这套实验系系统的进行介绍。

摘要： 本发明的目的是提供一种基片切割系统，其需要较小的占地区域从而紧凑，并且还可有效地切割基片。夹具装置(50)连接到基片切割系统上。该夹具装置可以夹住输入到安装基座(10)的基片侧边的至少一部分，安装基座(10)为中空矩形平行六面体，并且该夹具装置可以沿着中空矩形平行六面体的安装基座(10)的一边往复运动。一对基片切割装置设置在切割装置导向架(30)上，从而可以沿着垂直于夹具装置(50)移动方向的方向上移动，该成对的基片切割装置从被夹具装置(50)夹住的母片的各上表面和下表面上切割母片。当保持住母片的夹具装置(50)移动时，基片支撑装置支撑母片而不与母片摩擦。

摘要： 本发明的目的是提供一种基片切割系统，其需要较小的占地区域从而紧凑，并且还可有效地切割基片。夹具装置(50)连接到基片切割系统上。该夹具装置可以夹住输入到安装基座(10)的基片侧边的至少一部分，安装基座(10)为中空矩形平行六面体，并且该夹具装置可以沿着中空矩形平行六面体的安装基座(10)的一边往复运动。一对基片切割装置设置在切割装置导向架(30)上，从而可以沿着垂直于夹具装置(50)移动方向的方向上移动，该成对的基片切割装置从被夹具装置(50)夹住的母片的各上表面和下表面上切割母片。当保持住母片的夹具装置(50)移动时，基片支撑装置支撑母片而不与母片摩擦。

摘要： 本发明提供一种基片传递方法，利用该方法可将一没有中心孔的盘形基片或类似物保持在空气中以便容易地输送给一溅射装置。在一盘形基片的任何一侧的中心部分处设有一突起部，并且通过使该基片与一外掩膜、一内掩膜和一内掩膜固定磁体成为一个整体来进行基片的输送等操作，其中该外掩膜覆盖该基片的外周向端部和中心部分，该内掩膜和内掩膜固定磁体固定在该基片上同时在它们之间保持该基片的中心。一传递机构利用磁力保持该外掩膜，然后在要将基片传递于其上的基片托架一侧上同时利用磁力保持该外掩膜，在基片传递过程中该传递机构一侧的磁力减小。

摘要： 本发明提供一种基片传递方法，利用该方法可将一没有中心孔的盘形基片或类似物保持在空气中以便容易地输送给一溅射装置。在一盘形基片的任何一侧的中心部分处设有一突起部，并且通过使该基片与覆盖该基片的外周向端部和中心部分的一外掩膜和一内掩膜成为一个整体来进行基片的输送等操作。一传递机构利用磁力保持该内掩膜和该外掩膜，然后在要将基片传递于其上的基片托架一侧上同时利用磁力保持该内掩膜和该外掩膜，在基片传递过程中该传递机构一侧的磁力减小。

摘要： 对已向表面上涂敷上光刻胶(2)的基片(3),通过透镜(1)线状地照射暴光光。然后使暴光位置从最初的暴光位置(O1)移动到仅仅离开槽宽Gw与脊宽Lw之和的位置(O2),沿着与最初的暴光线平行的线进行暴光,反复进行上述操作,在光刻胶(2)上形成宽度为(Lw)间隔为(Gw)的暴光区域(2e)。然后,使光刻胶显影,除去暴光区域(2e)的部分,把树脂等推压到其上边形成复制原盘。接着,用该复制原盘用电铸法制造压模。然后,用该压模用玻璃或树脂制造带槽的成形基片。脊宽(Lw)由光学系统的有效光斑直径Φ决定,槽宽(Gw)可以作成为比脊宽(Lw)小。

摘要： 一种使两个基片重叠和接触的基片处理装置,包括:一用于支承第一基片的支承装置;一加压装置用于将第二基片压在由所述支承装置的支承的第一基片上,其特征在于:在第一基片的预定部分被弯曲与第二基片分离和第一基片不被弯曲的同时,所述支承装置能支承第一基片。还包括基片支承装置,基片处理方法,基片制造方法。

摘要： 提供一种对基片进行检查的基片检查装置，包括：取得部，其基于图像估计模型和经基片处理装置处理前的检查对象基片的拍摄图像，取得经所述基片处理装置处理后的所述检查对象基片的估计图像，其中，所述图像估计模型是使用多个基片各自的经所述基片处理装置处理前的拍摄图像和处理后的拍摄图像通过机器学习而生成的；和判断部，其基于经所述基片处理装置处理后的所述检查对象基片的拍摄图像和所述估计图像，判断该检查对象基片有无缺陷。

摘要： 本发明提供一种温度控制性良好且不易产生由热冲击引起的损伤的基片加热装置、基片加热方法和基片加热部的制造方法。在进行基片处理的处理容器内对基片进行加热的基片加热装置包括：基片加热部，其具有载置基片的载置面，利用加热器对载置于载置面的基片进行加热；护套部，其被设置成隔着冷却空间覆盖基片加热部的底部；和对冷却空间供给冷却气体的冷却气体供给部。

摘要： 本发明提供基片搬运装置、基片处理系统和基片处理方法，在减压气氛下搬运基片的基片搬运装置中，能够始终监视基片的位置。本发明的基片搬运装置在减压气氛下对基片处理装置搬运基片，包括：基片保持部，其用于保持所述基片；和基片测量部，其被设置于所述基片保持部，对所述基片相对于该基片保持部的位置进行测量。

摘要： 本发明提供输送基片的装置、处理基片的系统和输送基片的方法，能够调节叉形部件的倾斜。基片输送装置包括：末端执行器，其具有保持基片的叉形部件和保持叉形部件的根端部的腕部；以及臂，其能够安装末端执行器并具有使叉形部件移动的机构，在基片输送装置的保持叉形部件的根端部的腕部与臂之间具有调节叉形部件的倾斜的倾斜调节机构，该倾斜调节机构包括：用于从下表面侧支承腕部的3个支承销；使这些支承销的上端的高度位置彼此相对地变化的高度调节部；和被设置成将叉形部件向支承销一侧牵引的牵引销。