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崔旭高; 张荣; 陶志阔; 李鑫; 修向前; 谢自力; 郑有炓;
南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室;
锰掺杂氮化稼; 金属有机化学气相淀积; 磁性;
机译:由MOCVD技术生长的V掺杂GaN薄膜的结构,光学和热性能
机译:高温退火对MOCVD生长的V掺杂GaN薄膜磁性能的影响
机译:利用MOCVD研究在低温下生长的低电阻N-极性p-GaN薄膜的Mgδ掺杂
机译:具有三层层状流动气体注入的大气MOCVD系统产生的外延生长和Mg掺杂GaN薄膜的性能
机译:重稀土二氢化物薄膜的生长,结构和一些电性能的研究。
机译:Mn掺杂BiFeO3异质结构薄膜的光电化学性能
机译:MoCVD在独立GaN模板上生长的GaN和Inxga1-XN薄膜的微观结构
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究
机译:MOCVD生长MG掺杂的GAN半导体薄膜的P型活化等离子退火方法
机译:Mn PZT Mn PZT MN掺杂的PZT压电薄膜形成成分和MN掺杂的PZT压电薄膜组成
机译:MN掺杂PZT基压电薄膜形成组合物及MN掺杂PZT基压电薄膜
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