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MN-DOPED PZT-BASED PIEZOELECTRIC FILM FORMATION COMPOSITION AND MN-DOPED PZT-BASED PIEZOELECTRIC FILM

机译:MN掺杂PZT基压电薄膜形成组合物及MN掺杂PZT基压电薄膜

摘要

A composition used for forming a PZT-based piezoelectric film made of a Mn-doped composite metal oxide includes a PZT-based precursor including each metal atom constituting the composite metal oxide, a diol, and polyvinylpyrrolidone, When the metal atomic ratio in the composition is expressed as Pb:Mn:Zr:Ti, Pb satisfies 1.00 to 1.20, Mn satisfies 0.002 or more and less than 0.05, Zr satisfies 0.40 to 0.55, and Ti satisfies 0.45 to 0.60 is satisfied, and the PZT-based precursor is included in a ratio such that the total ratio of the metal atomic ratios of Zr to Ti is 1.
机译:用于形成由掺锰复合金属氧化物制成的PZT基压电薄膜的组合物包括PZT基前驱体,包括构成复合金属氧化物的每个金属原子、二醇和聚乙烯吡咯烷酮,当组合物中的金属原子比表示为Pb:Mn:Zr:Ti,Pb满足1.00到1.20,Mn满足0.002或以上且小于0.05,Zr满足0.40到0.55,Ti满足0.45到0.60,并且PZT基前驱体包含在一个比率中,使得Zr和Ti的金属原子比率的总比率为1。

著录项

  • 公开/公告号KR102384736B1

    专利类型

  • 公开/公告日2022-04-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR1020167026249

  • 申请日2015-03-27

  • 分类号H01L41/187;C04B35/491;C04B35/624;H01L41/318;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-25 00:37:09

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