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王勇; 于乃森; 黎明; 刘纪美;
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130000;
香港科技大学电子及计算机工程系光电子中心,香港;
非故意掺杂GaN; Si衬底; 金属有机物化学气相沉积; 高电阻率; 线性位错密度;
机译:通过MOCVD生长的无意掺杂GaN膜的电阻率控制
机译:利用MOCVD研究在低温下生长的低电阻N-极性p-GaN薄膜的Mgδ掺杂
机译:通过HVPE生长比较在MOCVD-GaN / Al_2O_3和MOCVD-GaN / SiC样品上生长的GaN薄膜的应变
机译:通过MOCVD在Si(111)基材上生长的无意掺杂GaN薄膜的电阻率控制
机译:通过MOCVD生长的高导电性和透明氧化镉薄膜:外延生长和掺杂效应
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:MBE在MoCVD GaN模板上生长的碳掺杂GaN的电气和光学性质使用CCL4掺杂剂来源
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究
机译:MOCVD生长MG掺杂的GAN半导体薄膜的P型活化等离子退火方法
机译:Si掺杂剂在具有较薄的BUFFER层的Si基体上生长的GaN纳米管的生长
机译:表皮生长基质,生产GAN基半导体薄膜的过程,GAN基半导体薄膜,生产GAN基半导体发光元素的过程以及GAN基半导体发光元素的过程
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