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【2h】

Electrical and Optical Properties of Carbon-Doped GaN Grown by MBE on MOCVD GaN Templates Using a CCl4 Dopant Source

机译：MBE在MoCVD GaN模板上生长的碳掺杂GaN的电气和光学性质使用CCL4掺杂剂来源

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Rob Armitage; Qing Yang; Henning Feick; Yeonjoon Park; Eicke R. Weber;
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年度 2002
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