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摘要
第一章 绪论
1.1 概述
1.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的基本特性和制备应用
1.2.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物简介
1.2.2 GaN材料的基本结构及性质
1.2.3 GaN材料的生长制备和衬底选择
1.3 GaN基LED简介
1.3.1 GaN基LED的发展历程
1.3.2 GaN基LED的生产工艺流程
1.3.3 GaN基LED的发展现状及存在的问题
1.4 本论文的研究意义及主要工作安排
第二章 MOCVD设备简介及相关表征方法
2.1 MOCVD概述
2.2 MOCVD设备简介
2.2.1 MOCVD的气体输运分系统
2.2.2 MOCVD的反应室分系统
2.2.3 MOCVD的控制分系统、尾气处理分系统和安全系统
2.3 材料表征方法概述
2.3.1 高分辨X射线衍射仪(HRXRD)
2.3.2 原子力显微镜(AFM)
2.3.3 光致发光谱(PL)
2.3.4 霍尔(HALL)效应测试仪
2.4 本章小结
第三章 成核层生长温度对两步法生长GaN外延薄膜的影响
3.1 GaN薄膜材料的外延生长技术
3.1.1 GaN薄膜材料外延生长的基本模式
3.1.2 GaN薄膜材料的两步法外延生长工艺
3.2 不同成核层生长温度的GaN外延薄膜的制备
3.3 成核层温度对GaN外延薄膜结晶质量的影响
3.3.1 GaN外延薄膜的原位监测曲线分析
3.3.2 GaN成核层退火后的AFM分析
3.3.3 GaN外延薄膜的AFM分析
3.3.4 GaN外延薄膜的XRD分析
3.3.5 GaN外延薄膜的PL分析
3.3.6 GaN外延薄膜的HALL分析
3.4 本章小结
第四章 不同成核层氨气流量的GaN外延薄膜的研究
4.1 TMGa与NH3生长GaN材料的化学反应动力学
4.2 成核层Ⅴ/Ⅲ比对GaN外延薄膜晶体质量的影响.
4.3 试验样品的制备
4.4 成核层氨气流量对GaN外延薄膜的影响
4.4.1 GaN外延薄膜的原位监测曲线分析
4.4.2 GaN外延薄膜的XRD分析
4.4.3 GaN外延薄膜的AFM分析
4.4.4 GaN外延薄膜的PL分析
4.4.5 GaN外延薄膜的HALL分析
4.5 本章小结
第五章 结论与展望
5.1 结论
5.2 展望
参考文献
致谢
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