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李鸿渐; 石瑛; 蒋昌忠;
武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;
p-GaN; 欧姆接触; 表面处理; 退火; 电阻率;
机译:使用紧张的IngaN接触层形成对P-GaN的低阻欧姆接触
机译:通过表面处理在GaN发光二极管应用中在反应离子刻蚀的n型GaN上形成非合金Ti / Al / Ni / Au低阻欧姆接触
机译:MWCNT与p-GaN欧姆接触的低接触电阻及其在大功率LED中的应用
机译:天然和仿生人造表面,具有超疏水性,自清洁,低附着力和减阻作用。
机译:在p-GaN上两步沉积Al掺杂的ZnO以形成欧姆接触
机译:坚固的配方,用于二维低阻欧姆接触 Gaas / alGaas异质结构中的电子气
机译:用Zn / pd / au金属化制备p型Gaas的低阻欧姆接触
机译:p-GaN半导体欧姆接触的透明电极膜
机译:制备透明欧姆接触结构BeO / Au / BeO / p-GaN的方法
机译:制造p-gan羟基电极的方法和由其制造的p-gan羟基电极
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