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郭德博; 梁萌; 范曼宁; 师宏伟; 刘志强; 王国宏; 王良臣;
中国科学院半导体研究所;
河北科技师范学院数学物理系;
GaN; 欧姆接触; 圆形传输线模型;
机译:表面处理和退火温度对与p-GaN形成低电阻Au / Ni欧姆接触的影响
机译:p-GaN上的欧姆接触(第二部分):半导体制造和表面处理的影响
机译:在室温下使用N-2等离子体表面处理降低p-GaN上的欧姆接触电阻率
机译:银与P-GaN欧姆接触的新型表面处理
机译:工程欧姆触点III-V,III-N和2D二均甲基化物:退火和表面制剂对接触电阻的影响
机译:在p-GaN上两步沉积Al掺杂的ZnO以形成欧姆接触
机译:表面处理对高性能光学器件(In)GaN欧姆接触电性能的影响
机译:影响de En'Inrichissement superficiel en arsenic sur l'Ohmicite du Contact n-Gaas:In / au(砷表面富集对n-Gaas欧姆的影响:In / au接触)
机译:欧姆接触的表面处理方法
机译:通过等离子体表面处理在室温的n型氮化镓(GaN)上制造欧姆接触的方法
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