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声明
论文的主要创新与贡献
第一章文献综述
1.1 CdZnTe晶体研究进展
1.2 CdZnTe晶片表面化学处理研究进展
1.2.1半导体用腐蚀液的组成
1.2.2 CdZnTe晶片表面极性鉴别及位错分析
1.2.3 CdZnTe晶片表面化学抛光
1.2.4 CdZnTe晶片表面钝化
1.3半导体晶体的表面
1.3.1半导体表面原子排列
1.3.2半导体表面偏析
1.3.3 CdZnTe晶面特征
1.3.4半导体表面损伤层研究
1.3.5半导体表面分析技术
1.3.6 CdZnTe晶片表面态研究
1.4 CdZnTe欧姆接触电极制备研究进展
1.4.1金属-半导体接触理论及电流输运机制
1.4.2金属-半导体欧姆接触
1.4.3 CdZnTe欧姆接触电极制备
1.4.4 CdZnTe欧姆接触电极的后处理
1.5 CdZnTe探测器的电荷输运及电极改进
1.6 CdZnTe晶体的能带结构
1.6.1 CdZnTe晶体的禁带宽度
1.6.2 CdZnTe晶体的缺陷能级
1.7本论文研究内容及方法
参考文献
第二章CdZnTe晶片表面化学抛光研究
2.1引言
2.2实验方法
2.2.1 CdZnTe晶片准备
2.2.2化学抛光处理
2.2.3表面分析
2.3结果与讨论
2.3.1不同抛光液腐蚀前后的表面形貌和粗糙度分析
2.3.2不同浓度Br-MeOH的腐蚀速率研究
2.3.3 Br-MeOH腐蚀前后CdZnTe(111)A面的组成分析
2.3.4 Br-MeOH腐蚀前后的PL谱分析
2.4本章小结
参考文献
第三章CdZnTe晶片表面化学钝化研究
3.1引言
3.2钝化剂的选择研究
3.3 Br-MeOH腐蚀后的室温大气下的自钝化研究
3.4不同钝化剂钝化效果对比研究
3.4.1 CdZnTe晶片准备
3.4.2表面钝化及电极合金化
3.4.3性能测试
3.4.4结果与讨论
3.5 NH4F/H2O2钝化效果的进一步研究
3.5.1 NH4F/H2O2钝化前后的表面组成和形貌分析
3.5.2 NH4F/H2O2钝化前后的PL谱分析
3.6本章小结
参考文献
第四章CdZnTe表面欧姆电极的制备研究
4.1 CdZnTe表面欧姆电极的制备工艺探讨
4.1.1表面电极材料的选择
4.1.2表面化学抛光与钝化工艺
4.1.3表面电极的制备与保护
4.1.4表面电极的合金化处理
4.1.5 Au/CdZnTe欧姆电极的制作工艺流程
4.2 Au/CdZnTe接触在大气气氛中的低温退火研究
4.2.1 CdZnTe晶片准备
4.2.2电极制备及退火处理
4.2.3性能测试
4.2.4结果与讨论
4.3 Au/CdZnTe接触在大气气氛中的分段退火研究
4.4Au/CdZnTe接触在大气气氛中的中温退火研究
4.5本章小结
参考文献
第五章不同晶向CdZnTe的表面态和界面态研究
5.1化学处理前后CdZnTe(111)A面和(111)B面组成对比分析
5.2 Au/TeO2/CdZnTe(111)B界面接触势垒研究
5.3 Au与CdZnTe的界面结构研究
5.4 CdZnTe其它晶面的研究
5.5本章小结
参考文献
第六章CdZnTe晶体的其它特性研究
6.1 CdZnTe晶体的临界场强
6.2 CdZnTe晶体的光学带隙研究
6.3 CdZnTe晶体的TG研究
6.4本章小结
参考文献
结论
攻读博士学位期间发表的学术论文
致谢