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康香宁; 章蓓; 胡成余; 王琦; 陈志忠; 张国义;
北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;
p-GaN; 欧姆接触; 反射电极; 两步合金法; 激光剥离; 垂直结构LED;
机译:与p-GaN的高反射率Al-Pt纳米结构欧姆接触
机译:低电阻和高反射率的Cu-Ni固溶体/ Ag欧姆接触p-GaN,用于倒装芯片发光二极管
机译:基于低电阻和高反射率的P-GaN翻转过程的反射器
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:在p-GaN上两步沉积Al掺杂的ZnO以形成欧姆接触
机译:通过降低溅射功率,低电阻Ga掺杂的ZnO欧姆接触P-GaN
机译:通过控制mg的活化,形成与mOCVD生长的p-GaN的欧姆接触
机译:p-GaN半导体欧姆接触的透明电极膜
机译:制造p-gan羟基电极的方法和由其制造的p-gan羟基电极
机译:制备透明欧姆接触结构BeO / Au / BeO / p-GaN的方法
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