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高反射率p-GaN欧姆接触电极

         

摘要

根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、 GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、 GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率.实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特性.并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中.实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构,并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象.解决了Ag电极的稳定性问题,显著地提高了LED的出光效率,成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯.

著录项

  • 来源
    《发光学报》 |2006年第1期|75-79|共5页
  • 作者单位

    北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 发光学;
  • 关键词

    p-GaN; 欧姆接触; 反射电极; 两步合金法; 激光剥离; 垂直结构LED;

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