p-GaN与Ni/Pt欧姆接触的研究

成彩晶; 张向锋; 丁嘉欣

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本文对p-GaN与Ni/Pt形成欧姆接触及其电流传输机制进行了研究.Ⅰ-Ⅴ变温测试曲线是线形的,表明Ni/Pt与p-GaN之所以能形成欧姆接触,是因为Ni/Pt与p-GaN接触在空气中退火时界面处的p-GaN空穴浓度增加了,从而降低了有效势垒高度.在148K～323K范围内,单位接触电阻Rc随测试温度T的升高趋于呈指数下降,表明Ni/Pt与p-GaN欧姆接触的电流传输机制遵循热电子发射.

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来源
《红外》 |2008年第3期|16-19|共4页
作者
成彩晶; 张向锋; 丁嘉欣;
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作者单位

中国空空导弹研究院光电所,河南,洛阳,471009;

中国空空导弹研究院光电所,河南,洛阳,471009;

中国空空导弹研究院光电所,河南,洛阳,471009;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体光电器件;
关键词
欧姆接触; 单位接触电阻; Ⅰ-Ⅴ曲线; 变温测试; 电流传输机制;

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