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机译:与p-GaN的高反射率Al-Pt纳米结构欧姆接触
III-V semiconductors; Schottky barriers; flip-chip devices; gallium compounds; light emitting diodes; nanostructured materials; ohmic contacts; tunnelling; wide band gap semiconductors; 0.58 eV; 0.80 eV; 10 cm; 3 cm; Al-Pt; GaN; Schottky barrier height; barrier height r;
机译:覆盖层厚度对使用欧姆凹进技术的p-AlGaN和p-GaN上的Ni欧姆接触的电性能的影响
机译:与p型GaN的高反射率Pd / Ni / Al / Ti / Au欧姆接触,用于紫外发光二极管
机译:通过与p-GaN形成出色的欧姆接触来增强n-ZnO / p-GaN异质结发光二极管的性能
机译:高反光的低电阻Pt / Ag / Ni / Au基于P-GaN的欧姆触点
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:在p-GaN上两步沉积Al掺杂的ZnO以形成欧姆接触
机译:使用Au / Ni-Zn-O金属化对P-GaN的欧姆接触
机译:通过控制mg的活化,形成与mOCVD生长的p-GaN的欧姆接触