机译:覆盖层厚度对使用欧姆凹进技术的p-AlGaN和p-GaN上的Ni欧姆接触的电性能的影响
Institute of Photonics, National Changhua University of Education, Changhua 500, Taiwan, Republic of China;
机译:通过更改p-InGaN覆盖层的厚度来改善p-GaN膜上的Ni非合金欧姆接触
机译:Ag对Ag / Ni / p-GaN欧姆接触电性能的影响
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机译:界面反应对n型4H-SiC Ni欧姆接触电性能的影响
机译:欧姆金属和氧化物沉积对碳化硅衬底上多层外延石墨烯的结构和电性能的影响。
机译:使用聚焦离子束技术的欧姆接触制备和层半导体纳米结构的电学表征
机译:Ni膜厚度对与p-GaN的Ni / Au Ohmic接触性能的重大影响
机译:4H-和6H-siC同质外延层中的缺陷和杂质:识别,起源,对欧姆接触和绝缘层性能的影响和还原