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中子辐照半绝缘硅衬底上的SOI技术

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本文描述了一种新奇的SOI技术:中子辐照单晶硅形成半绝缘材料,经激光扫描退火恢复表面层的半导体特性并由此组成了SOI结构.在这个结构上我们制作了n沟MOSFET.本文研究了这种半绝缘层的性质,这种技术的工艺流程和条件以及用这种方法制得的MOS器件的性能.

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来源
《华东师范大学学报：自然科学版》|1991年第1期|35-40|共6页
作者
李琼; 林成鲁;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类场效应器件;
关键词
SOI技术; MOS器件; 激光退火; SOI结构;

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